non-volatile memory flash high-k dielectrics charge trapping memory;
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机译:用于非易失性存储器应用的高k类MNOS堆叠电介质
机译:使用高k介电层降低非易失性闪存的编程电压
机译:用于非易失性存储器应用的高k电介质和金属栅电极的研究。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:评估高k电介质的非易失性存储器:超过32 nm的闪存