机译:使用高压CD-SEM的EUV抗蚀剂的CD计量:收缩率,图像清晰度,可重复性和线条边缘粗糙度
Hitachi Ltd. Kokubunji-shi Tokyo Japan Hitachi High-Technologies Corp. Hitachinaka-shi Japan;
Hitachi High-Technologies Corp. Hitachinaka-shi Japan;
Hitachi Ltd. Kokubunji-shi Tokyo Japan;
CD-SEM; EUV lithography; resist shrinkage; HV-SEM; Monte-Carlo simulation; line edge roughness;
机译:线宽和临界尺寸度量的CD-SEM图像的蒙特卡洛模拟
机译:EUV抗蚀线边缘粗糙度减轻的顺序渗透合成
机译:EUV抗蚀线边缘粗糙度减轻的顺序渗透合成
机译:使用高压CD-SEM的EUV抗蚀剂的高分辨率,低收缩CD计量
机译:用于EUV光刻的光刻胶中的线边缘粗糙度和二次电子相互作用的研究
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:EUV抗蚀线边缘粗糙度减轻的顺序渗透合成