机译:宽带隙半导体材料的激光加工SiC衬底的微结构和电阻分析
Intel Corporation -Assembly Technology Development;
Applicote Associates;
Laser-Aided Manufacturing Materials and Micro-Processing Laboratory (LAMMMP) School of Optics Center for Research and Education in Optics and Lasers (CREOL) University of Central Florida;
机译:宽带隙半导体材料的激光加工SiC衬底的微结构和电阻分析
机译:宽带隙半导体材料的激光加工SiC衬底的微结构和电阻分析
机译:SiC和GaN宽带隙半导体材料和器件
机译:在半绝缘SiC衬底上使用宽带隙半导体器件的高功率混合和MMIC放大器
机译:通过分子束外延,使用Fe3O 4作为自旋电子学,通过分子束外延了解宽带隙半导体上的电活性界面形成
机译:通过宽带隙半导体中的直接毫微微第二激光书写使能彩色中心
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日