机译:氮掺杂Ge2 sub> Sb2 sub> Te5 sub>薄膜用于相变存储的研究
Department of Ceramic Engineering Yonsei University;
Department of Ceramic Engineering Yonsei University;
Department of Ceramic Engineering Yonsei University;
Memory Research Development Division Hynix Semiconductor Inc.;
Memory Research Development Division Hynix Semiconductor Inc.;
Memory Research Development Division Hynix Semiconductor Inc.;
机译:掺杂对Ge2 sub> Sb2 sub> Te5 sub>相变特性的影响
机译:氮掺杂富Sb的Si-Sb-Te薄膜的相变行为研究
机译:锗和氮的掺入对用于相变存储的N掺杂Ge_(2 + x)Sb_2Te_5(x = 0,1)薄膜结晶的影响
机译:射频磁控溅射制备相变随机存取存储器的掺氮掺Ge-Sb-Te系薄膜
机译:具有相变随机存取存储器的氮掺杂锗锑碲化物的超晶格状结构。
机译:扩展报告:类风湿关节炎患者从参考英夫利昔单抗改用生物仿制药SB2与连续参考英夫利昔单抗和SB2相比的安全性免疫原性和功效:一项随机双盲III期过渡研究的结果
机译:探索外延生长的相变材料Ge2 Sb2 Te5的地下原子结构