机译:使用SiCl4:Ar:SF6化学腐蚀GaN反应离子
Univ Politecn Madrid, ETSI Telecomun, ISOM DIE, E-28040 Madrid, Spain;
机译:用于深硅刻蚀应用的感应耦合SF 6和SF6 / Ar等离子体中等离子体化学的数值研究
机译:通过在恒定Ar流量下循环注入CH_4 / H_2 / Ar和O_2来改善GaN电子回旋共振离子蚀刻中的蚀刻表面形态
机译:Cl_2 / SiCl_4 / Ar等离子体对AlGaN / GaN SLs的反应离子刻蚀特性及n-GaN的刻蚀损伤研究
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻系统中使用基于SF6 / C4F8 / AR / O2的SF6 / C4F8 / AR / O2的石英的高速各向异性蚀刻
机译:校正使用SF6 / C4F8 / Ar气体混合物进行深硅蚀刻时的长宽比依赖性。
机译:硅基薄膜气相化学与反应离子蚀刻动力学的关系(SiCSiO
机译:质谱仪壁探针概述含有SF6和/或O2的AR放电:蚀刻等离子体中的反应离子
机译:用氩(ar),四氟化碳(CF4)和六氟化硫(sF6)混合物反应离子刻蚀钛酸锶钡薄膜的研究