机译:沉积时间对化学浴沉积法对Cd_(0.6)Co_(0.4)S薄膜光学,结构和光致发光性能的影响
Department of Physics, Muthayammal College of Arts and Science, Rasipuram 637408, Tamilnadu, India;
Department of Physics, H.H. The Rajah's College, Pudukkottai 622 001, Tamilnadu, India;
机译:锰掺杂对化学浴沉积法对Cd_(0.98)Co_(0.02)S薄膜结构,光学和光致发光性能的影响
机译:沉积时间对化学浴沉积法对Cd_(0.9)Zn_(0.1)S薄膜结构,光学和光致发光性能的影响
机译:使用化学浴沉积技术研究化学沉积CD_(1-X)Zn_XS薄膜的结构和光学性质
机译:沉积温度对化学浴沉积合成的CDSE薄膜结构和光学性质的影响
机译:化学浴沉积,图案化碲化镉薄膜的光学和结构表征的参数研究。
机译:使用化学浴沉积法改进沉积时间温度和pH值来合成纳米晶SnOx(x = 1-2)薄膜
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响