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机译:退火处理和沉积温度对CIGS太阳能电池CdS薄膜的影响
Department of Applied Physics, Amity Institute of Applied Sciences (AIAS), Amity University, Noida Campus, Sector-125, Noida, U.P. 201 313, India;
Department of Applied Physics, Defence Institute of Advanced Technology, Girinagar, Pune 411025, India;
Department of Applied Physics, Defence Institute of Advanced Technology, Girinagar, Pune 411025, India;
Quantum Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 100715, South Korea;
机译:退火处理对不同CdS沉积温度对CdS / CIGS薄膜太阳能电池的影响
机译:沉积时间和沉积后退火对用于太阳能电池的电沉积CdS薄膜的物理和化学性质的影响
机译:CdCl2退火处理对近距离升华CdTe / CdS薄膜太阳能电池结构和光电性能与沉积条件的影响
机译:两种不同晶相的CdS薄膜的沉积及其对Cu(IN,GA)SE2(CIGS)薄膜太阳能电池的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:锡薄膜的等离子体增强的原子层沉积作为CIGS太阳能电池的有效SE扩散屏障
机译:沉积时间和后沉积退火对太阳能电池应用电沉积CDS薄膜物理和化学性质的影响
机译:空间光伏的理论和实验研究:用于Cds / CIGs太阳能电池应用的CuIn(x)Ga(1-x)se2(CIGs)薄层的电沉积