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公开/公告号CN214797445U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量大学;
申请/专利号CN202121534957.6
发明设计人 韩晋琛;吴文烛;刘祖刚;
申请日2021-07-07
分类号H01L31/18(20060101);C23C18/12(20060101);
代理机构
代理人
地址 310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道学源街258号
入库时间 2022-08-23 02:03:46
机译: 薄膜CIGS太阳能电池无镉氧化物缓冲层的化学溶液沉积方法
机译: CIGS太阳能电池的非真空缓冲层沉积装置
机译: 用于形成缓冲层连续沉积装置的柔性CIGS薄膜太阳能电池
机译:通过原子层化学气相沉积(ALCVD)沉积具有硫化铟缓冲层的高效铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池
机译:原子层化学气相沉积法制得的CIGS太阳能电池缓冲层掺杂镁的ZnO薄膜
机译:用化学浴沉积工艺制备Cu(In,Ga)Se 2(CIGS)太阳能电池制备的Zn(Se,OH)缓冲液组合物方法的研究
机译:通过化学浴沉积制备的具有基于In的缓冲层的CIGS薄膜太阳能电池
机译:基于CIGS的串联光伏的缓冲层和阻挡层
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:通过化学浴沉积方法对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池制备的Zn(Se,OH)缓冲剂组合物的方法研究
机译:CBD,aLD和溅射制备Zn(O,s)缓冲层和CIGs太阳能电池的比较研究。