机译:金属有机化学气相沉积法在sp〜2键结合的BN上生长AlGaN / GaN异质结构及其特性
Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433;
Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433;
Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433 Wyle Laboratories, Inc., 2601 Mission Point Blvd., Dayton, OH 45431;
Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433;
Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433 Wyle Laboratories, Inc., 2601 Mission Point Blvd., Dayton, OH 45431 Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH 45435;
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响
机译:光化学气相沉积SiO_2层的AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构金属氧化物半导体半结构场效应晶体管的高温性能和低频噪声特性
机译:在GaN模板和天然GaN衬底上的高迁移率AlGaN / AlN / GaN异质结构的金属有机化学气相沉积生长
机译:金属有机化学气相沉积铟表面活性剂辅助AlN / GaN异质结构的生长
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:单批化学气相沉积法在可回收Pt箔上生长石墨烯/ h-BN异质结构
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响