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机译:SRAM中不同技术节点的电阻桥接缺陷的影响
Department of Microelectronics, LIRMM, University of Montpellier 2/CNRS, 161 rue Ada, 34095, Montpellier cedex 05, France;
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Intel Mobile Communications, 2600, route des Crêtes, 06560, Sophia-Antipolis, France;
SRAM; Core-cell; Test; Resistive-bridge defect; Fault modeling;
机译:SRAM中不同技术节点的电阻桥接缺陷的影响
机译:通过使用体晶体管和SRAM中的多节点集合进行SET建模直至65 nm技术节点的SEU预测
机译:统计可变性和可靠性以及对14nm节点SOI FinFET技术的相应6T-SRAM单元设计的影响
机译:SRAM核心单元中的电阻桥接缺陷分析:从90nm到40nm技术节点的比较研究
机译:缺陷对计算机技术的影响:从CMO到量子计算机
机译:21个基因的复发评分分析影响了ER阳性淋巴结阴性和淋巴结阳性的早期乳腺癌的辅助治疗建议从而导致化疗的风险适应性改变
机译:sRam核心单元中电阻 - 桥接缺陷的分析:从90nm到40nm技术节点的比较研究*