机译:(211)HgCdTe在CdZnTe(211)B上成核的椭圆仪研究
Microphysics Laboratory, University of Illinois at Chicago, 845 W. Taylor St., Room 2236, Chicago, IL 60607, USA;
A1. ellipsometry; A1. nucleation; A1. substrates; A1. temperature; A3. molecular beam epitaxy; B1. HgCdTe; B2. semiconducting materials;
机译:CdZnTe(211)B衬底表面形态与HgCdTe(211)B外延层缺陷的相关性
机译:Hg在CdTe(211)B / Si(211)上的吸附及HgCdTe(211)B的分子束外延生长的原位椭偏研究
机译:(111)B和(211)B Cdznte基材的表征用于HGCDTE生长
机译:HGCDTE的分子束外延(211)B CDZNTE
机译:Au(211),Pt(111)和Sn修饰的Pt(111)表面上含氧分子的化学吸附研究。
机译:摘要9.单侧乳房切除术与其他对侧预防性乳房切除术的乳腺癌重建的发病率和生活质量:一项针对211例乳房重建患者单侧乳房切除术与其他对侧预防性乳房切除术的发病率和生活质量的队列研究211名乳房再造患者的队列研究
机译:生长和热循环退火HGCDTE(211)膜中蚀刻坑和脱位的相关性
机译:北约/ CCms试点研究(会议):对污染土地和地下水处理的示范和新兴211技术的评估(第3阶段)。 211 1999年特别会议,受监测的自然衰减。于199年5月9日至14日在法国昂热举行