机译:InN薄膜和InAlN / InN异质结构的等离子体辅助MBE生长
Communications Research Laboratory, Millimeter, 4-2-1 Nukui-kita, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan;
A3. molecular beam epitaxy; B1. nitrides; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B2. semiconducting indium compounds;
机译:射频等离子体辅助MBE和簇束外延生长InN膜
机译:LT-InN缓冲液生长条件对MBE在Si(111)衬底上生长InN薄膜质量的影响
机译:RF-MBE外延生长InN薄膜和InN纳米柱
机译:等离子体辅助的InN薄膜的MBE生长和InAlN / InN异质结构
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:PA-MBE在铝覆盖的Si(111)衬底上自组装InN纳米柱的生长机理和性能
机译:等离子体辅助MBE在Si(111)上使用超薄金层生长InN纳米棒的机理研究