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机译:金属/氧化物界面对以MBE生长的Ga_2O_3(Gd_2O_3)为栅极电介质的耗尽型GaAs MOSFET的DC和RF性能的影响
Agere Systems, IC Device Research, 600 Mountain Ave., RM 1T-204, Murray Hill, NJ 07974, USA;
A1. interfaces; A3. molecular beam epitaxy; B1. Ga_2O_3(Gd_2O_3) oxide; B1. GaAs; B2. gate dielectric; B3. depletion-mode MOSFET;
机译:以分子束外延生长的Al_2O_3 / Ga_2O_3(Gd_2O_3)作为栅极电介质的耗尽型In_(0.2)Ga_(0.8)As / GaAs MOSFET
机译:使用MBE生长的Ga_2O_3(Gd_2O_3)作为栅极氧化物的GaAs MOSFET
机译:具有自对准InAlP原生氧化物栅极电介质的0.25-μm栅极长度耗尽型GaAs沟道MOSFET的制备和性能
机译:金属/氧化物界面对采用MBE生长的Ga / sub 2 / O / sub 3 /(Gd / sub 2 / O / sub 3 /)作为栅极电介质的D型GaAs MOSFET的DC和RF性能的影响
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:金属/氧化物界面对采用MBE生长的Ga2O3(Gd2O3)作为栅极电介质的D型GaAs MOSFET的DC和RF性能的影响
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成