机译:快速热退火对MOAs在GaAs衬底上生长的Zn_(1-x)Mn_xSe外延层光学性能的影响
Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong, China;
A1. photoluminescence; A3. metalorganic chemical vapor deposition; A3. epilayer; B2. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:在Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te衬底上外延生长的Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的随温度变化的光学特性
机译:(100)GaAs上通过分子束外延生长的Zn_(1-x)Cd_xSe外延层的光学性质
机译:快速热退火对通过分子束外延(MBE)在R平面取向的蓝宝石衬底上生长的未掺杂和N掺杂的ZnO a平面外延层的光学和电学性质的影响
机译:GaAs衬底上MOCVD生长的Zn / sub 1-x / MN / sub x / Se薄膜的光学特性研究
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:In(x)Ga(1-x)as / Gaas应变层超晶格中的快速热退火效应。