首页> 外国专利> HIGH OPTICAL QUALITY POLYCRYSTALLINE INDIUM PHOSPHIDE GROWN ON METAL SUBSTRATES BY MOCVD

HIGH OPTICAL QUALITY POLYCRYSTALLINE INDIUM PHOSPHIDE GROWN ON METAL SUBSTRATES BY MOCVD

机译:MOCVD法在金属基体上生长高光学质量的多磷酸铟

摘要

A new solar cell is disclosed wherein the solar cell comprises a substrate, a VIB metal thin film deposited on the substrate, and a polycrystalline III-V semiconductor thin film deposited on the VIB metal thin film.;A method of making the solar cell is described comprising providing a substrate, depositing a VIB metal thin film on the substrate, and depositing a polycrystalline III-V semiconductor thin film on the VIB metal thin film. In one embodiment a polycrystalline III-V semiconductor thin film comprising Indium Phosphide (InP) is deposited on a VIB metal thin film comprising Molybdenum (Mo) by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD).
机译:公开了一种新的太阳能电池,其中该太阳能电池包括基板,沉积在基板上的VIB金属薄膜和沉积在VIB金属薄膜上的多晶III-V族半导体薄膜。所述的方法包括提供基板,在基板上沉积VIB金属薄膜,以及在VIB金属薄膜上沉积多晶III-V半导体薄膜。在一个实施例中,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)将包含磷化铟(InP)的多晶III-V半导体薄膜沉积在包含钼(Mo)的VIB金属薄膜上。

著录项

  • 公开/公告号US2014060646A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAXWELL ZHENG;ALI JAVEY;

    申请/专利号US201314011443

  • 发明设计人 MAXWELL ZHENG;ALI JAVEY;

    申请日2013-08-27

  • 分类号H01L31/0304;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0368;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:04:10

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号