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机译:Al0.3Ga0.7As岛的液相外延
Chinese Acad Sci, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China;
crystal morphology; liquid phase epitaxy; alloys; semiconducting ternary compounds;
机译:液相外延生长的SiGe / Si岛的原位X射线研究
机译:液相外延装置设计用于(001)Si衬底上SiGe岛生长的原位X射线研究
机译:液相扩散法生长的InAs基III-V族化合物和Si / Ge半导体表观应变诱发的孤岛和量子点
机译:器件质量的Al0.3Ga0.7As的原子层外延
机译:通过液相外延生长的铌酸锂薄膜中的直接写入电子束亚微米域工程。
机译:通过液滴外延生长的无应变GaAs / Al0.3ga0.7as量子点的对比化学物理分析
机译:通过金属有机气相外延生长的al0.3Ga0.7as缓冲层改善亚微米栅极Gaas mEsFET的性能
机译:用液相外延法形成单相,单晶2122 BCsCO超导体薄膜的方法