机译:直接在(111)Si衬底上生长的自组装GaN纳米棒:取决于生长条件
Quantum-functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 100-715, Korea;
A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;
机译:氮化参数和初始生长条件对Si(111)基材上等离子体辅助分子束外延生长的GaN外延层极性的影响
机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:金属有机化学气相沉积Au + Ga合金种子法在Si(111)衬底上生长的自组装GaN纳米柱
机译:基于Si(111)底板上生长的自组装GaN纳米棒的生长和光学性能
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在Si(111)衬底上生长的GaN纳米棒和激子定位
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层