机译:在Si(001)上通过金属有机气相外延生长的六方c轴GaN层
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;
A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:AIAs / GaAs(001)作为金属有机气相外延生长的c取向六角形GaN的模板
机译:金属有机气相外延在Si(001)上生长单畴GaN层
机译:金属有机气相外延法在(001)GaAs衬底上生长具有AlGaN / GaN超晶格下层的立方GaN外延层中的缺陷密度降低
机译:金属有机氯化氢气相外延法在GaAs的(111)A和(111)B上生长的GaN中的微观结构的透射电镜分析
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:使用AlAs中间层通过金属有机气相外延在GaAs {11n}衬底上生长的六方GaN
机译:氮等离子体辅助分子束外延生长的c轴GaN纳米线的稳态和瞬态光电导