机译:通过分子束外延生长的GeSi / Si(001)薄膜塑性弛豫时作为表面活性剂的Sb:表面粗糙度值的降低
Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russian Federation;
A1. Misfit dislocation nucleation; A3. Low-temperature growth; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Surfactant; B1. Germanium silicon alloys;
机译:在Sb表面活性剂存在下通过分子束外延生长的GeSi / Si(001)薄膜的塑性弛豫
机译:GeSi / Si(001)薄膜中失配位错的主要成核,其分子束外延逐步生长
机译:低温分子束外延生长的GeSi / Si(001)异质结构的应变弛豫
机译:在001 -GaSb上生长的AlSb薄膜的弛豫
机译:分子束外延生长锶镧铜氧化物薄膜的角分辨光发射光谱。
机译:范德华外延生长的(Bi0.53Sb0.47)2Te3薄膜的两个表面态的证据
机译:金属有机分子束外延在邻近4H-SiC表面生长的GaN薄膜中的结构各向异性