...
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Influence of misfit and threading dislocations on the surface morphology of SiGe graded-layers
【24h】

Influence of misfit and threading dislocations on the surface morphology of SiGe graded-layers

机译:错配和螺纹位错对SiGe梯度层表面形态的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

The surface morphology of SiGe graded layers has been studied using AFM and TEM. The influece of dislocation gliding in the layer on the cross-hatch pattern indictes that the origin of the cross-hatch is due to misfit dislocations lying mainly in the graded layer.
机译:使用AFM和TEM研究了SiGe梯度层的表面形态。错位在交叉影线图案上的层中滑动的影响表明,交叉影线的起源是由于错位错位主要位于渐变层中。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号