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机译:AlN缓冲液对等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长InN外延膜性能的影响
Natl Tsing Hua Univ, Dept Phys, Hsinchu 300, Taiwan;
Natl Cent Univ, Dept Phys, Chungli 32054, Taiwan;
characterization; substrates; molecular beam epitaxy; semiconducting indium nitride; semiconducting silicon; FUNDAMENTAL-BAND GAP; MULTIPLE-QUANTUM WELLS; HEXAGONAL INN; WURTZITE INN; V-DEFECTS; TEMPERATURE; INGAN/GAN;
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在缓冲层生长后的生长过程中氮等离子体辐照对Si(111)上生长的六方InN薄膜特性的影响
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在缓冲层生长后生长过程中氮等离子体辐照对Si(1 1 1)上生长的六方InN薄膜特性的影响
机译:在Stranski-Krastanow模式下通过等离子体辅助分子束外延在AlN / Si(111)和GaN / Al_2O_3(0001)上生长的自组装InN量子点
机译:通过斯特拉斯基 - 克拉车模式下等离子体辅助分子束外延在AlN / Si(111)和GaN / Al2O3(0001)上生长的自组装入线量子点
机译:分子束外延生长锶镧铜氧化物薄膜的角分辨光发射光谱。
机译:脉冲激光沉积在Si(111)衬底上生长AlN外延膜的界面反应控制及其机理
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性