机译:沿非极性方向生长的GaN层的TEM研究:横向过度生长和Pendeo外延层
Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, USA;
A1. Basal and prismatic stacking faults; A1. Dislocations; A1. TEM; A2. MOCVD two-step growth; A3. Epitaxial lateral overgrowth; A3. Pendeo-epitaxy; B1. Non-polar GaN;
机译:沿极性和非极性方向生长的横向过度生长的GaN层的结构完善
机译:外延横向生长的GaN外延层上生长的InGaN / GaN MQW的阴极发光
机译:Ⅲ族氮化物垂直腔表面发射激光器N-DBR镜升降外延横向覆盖GaN层的表面粗糙度研究
机译:沿极性和非极性方向生长的横向过度生长的GaN层的TEM研究
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:通过X射线互易空间映射研究了非极性(112-0)平面InxGa1-xN / GaN层中的各向异性双轴应变
机译:非极性基板上生长的横向长期GaN层的结构缺陷