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陈裕权;
外延层 GaN MOCVD 改良技术 反应室 蓝宝石衬底 汽相外延 固体电子学 缓冲层 原子力显微镜;
机译:用光学技术确定蓝宝石上MOCVD生长的GaN外延层中载流子扩散长度
机译:使用液体镓靶的脉冲激光沉积在蓝宝石(0001)上的GaN外延层的低温生长
机译:通过在c面蓝宝石衬底上使用MOCVD生长的具有Pt纳米簇的InGaN / GaN外延层的微结构表征
机译:在蓝宝石衬底上使用MOCVD生长的未掺杂GaN外延层的SAW滤波器的特性研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:蓝宝石上生长的As掺杂GaN外延层的TEM评估
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层
机译:蓝宝石上GaN生长的改良缓冲液
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