机译:MOVPE生长在GaN中的镁扩散分布
Unite de Recherches sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), Faculte des Sciences, 5000 Monastir, Tunisia;
A1. diffusion; A1. SIMS; A3. MOVPE; B1. GaN; B1. Mg;
机译:MOVPE生长的GaN中取决于反应堆的掺杂分布的起始瞬态
机译:MOVPE生长的Fe掺杂GaN层中的载流子分布
机译:MOVPE生长的立方氮化镓微带生长模型:包括表面迁移效应的气相扩散模型
机译:Movpe GaN / Sapphire模板在垂直GaN电源装置中漂移层的Movpe GaN / Sapphire模板上的HVPE种植层的研究
机译:MOVPE生产的用于高效多结太阳能电池的块状稀氮化物-锑化物材料的特性。
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:使用波长色散X射线光谱法研究MOVPE生长的InGaN外延层和掺杂镁的GaN的组成