机译:镓超高纯区细化的数值研究和实验研究及其在Gaas外延层生长中的应用
Department of Electronic Science, University of Calcutta, 92 A. P. C. Road, Kolkata 700009, India;
Ultrapure Materials Laboratory, Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), IDA, Phase-Ill, HCL Post, Hyderabad 500051, India;
Department of Electronic Science, University of Calcutta, 92 A. P. C. Road, Kolkata 700009, India;
a1. purification; a1. computer simulation; a2. zone refining; a3. liquid phase epitaxy; b1. gallium; b2. gallium arsenide;
机译:光电用镓超纯区精制过程的计算研究与实验验证
机译:基于实验结果的GaAs和Alas原子层外延生长机制的研究及初原性能量计算
机译:多通道区精炼中镓中杂质的分离特征及其超纯研究
机译:通过区域精炼纯化镓及其表征
机译:通过区域精炼超纯化镓
机译:自组装二氧化硅纳米球的多层非和半极性氮化镓外延层中的缺陷减少
机译:InGaAs / GaAs系统中应变外延层的生长和弛豫研究