机译:具有单一侧壁小面的InGaN量子阱三角形微环的选择区外延
Nano Tech Center, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA;
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A1. Crystal morphology; A1. Optical properties; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Selective area epitaxy; B2. III-Nitride compounds;
机译:通过选择性区域外延生长的InGaN量子阱微环的不同面
机译:GaN侧面上的InGaN / GaN多量子阱的选择性外延
机译:通过化学束外延在具有(322)刻面侧壁的V型槽上垂直堆叠InGaAs / GaAs量子线的实现
机译:通过在刻蚀侧壁上进行选择性InP外延制造短腔激光器的晶面镜
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:双嵌段共聚物光刻技术对超高密度InGaN量子点的选择区域外延
机译:通过金属机气相外延在GaN线侧壁上生长的径向厘普兰量子孔的绿色电致发光