机译:人工堆叠硅向分子束外延生长的控制:硼在Si(111)上的吸附和表面偏析的研究
Information Technology laboratory, Leibniz University Hannover, Schneiderberg 32, D-30167 Hannover, Germany;
Information Technology laboratory, Leibniz University Hannover, Schneiderberg 32, D-30167 Hannover, Germany;
Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz University Hannover, Schneiderberg 32, D-30167 Hannover, Germany;
A1. Nucleation; A1. Reflection high-energy electron diffraction surface defects; Al. Surface processes; Al. Ultraviolet photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;
机译:使用Al-N_2O混合源分子束外延在化学氧化的Si(111)衬底上生长具有光滑表面的外延γ-Al_2O_3(111)膜
机译:通过分子束外延控制(100)或(111)CdTe外延层在(100)GaAs上的生长及其电子自旋弛豫时间的研究
机译:Si(111)和BaF_2(111)上iv-Vi多量子阱结构的分子束外延生长和外延层加热的光学研究
机译:硅在重掺杂硼的Si(111)表面上的分子束外延生长:从初始阶段到Si多型化的生长
机译:石墨烯外延生长及六边形氮化硼二维层的分子束外延生长及表征
机译:控制Si(111)表面上分子束外延生长的In-Bi原子膜的极性
机译:薄膜太阳能电池Si(111)衬底上掺硼p型BaSi2外延膜的分子束外延
机译:高质量Gaas外延生长中杂质的控制。分子束 - 质谱仪分析和校准的响应。