机译:生长温度和衬底取向对MOVPE生长用于多结太阳能电池的稀氮化物-锑化物材料的影响
Univ Wisconsin, Dept Elect & Comp Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Chem & Biol Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Elect & Comp Engn, Madison, WI 53706 USA;
Substrates; Metalorganic vapor phase epitaxy; Antimonides; Nitrides; Semiconducting III V materials; Solar cells;
机译:对Movpe-生长的BLGGAAS / GAAS QW设计的生长温度影响设计用于光电应用
机译:通过金属有机气相外延(MOVPE)生长的窄带隙GalnNAsSb材料用于太阳能电池应用
机译:掺Sb对MOVPE生长的“块状” InGaAs(Sb)N薄膜的影响
机译:MOVPE生产的用于多结太阳能电池的稀氮化锑材料
机译:MOVPE生产的用于高效多结太阳能电池的块状稀氮化物-锑化物材料的特性。
机译:高效离子钙钛矿型太阳能电池和气体传感器应用中的低温离子层吸附和反应生长的锐钛矿型TiO2纳米晶膜
机译:用于多结太阳能电池应用的III-V材料在硅基板上的集成