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机译:InP上InAlGaAs MQW结构MOCVD生长的建模和过程控制
National Research Council Canada-Information and Communications Technologies, Canadian Photonics Fabrication Centre Ottawa, Ontario, Canada K1A OR6;
National Research Council Canada-Information and Communications Technologies, Canadian Photonics Fabrication Centre Ottawa, Ontario, Canada K1A OR6;
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A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. User diodes;
机译:用于1.3 * um激光器的平面应变InAlGaAs MQW结构生长的禁止温度区域
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)完全生长的1.3μm GaInAsP / InP掩埋异质结构渐变折射率分离禁区多量子阱(BH-GRIN-SC-MQW)激光器
机译:InAs / InAlGaAs / InP混合量子阱量子点结构的动态特性的控制,该结构设计为1.55μm发射激光器的有源部件
机译:通过LP-MOVPE控制GaInAs / InP MQW和GaInAsP / GaInAs分离限制MQW激光结构的受控生长
机译:光学建模,MOCVD生长和新型制造技术的半极(20-21)GaN倒装芯片边缘发射激光器结构
机译:915 MHz氧化铝的微波烧结:建模过程控制和微结构分布
机译:MOVPE在氮气氛中以1.55 µm VCSEL生长的InAlGaAs / InP MQW结构
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构