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A multi-parallel multiscale computational framework for chemical vapor deposition processes

机译:化学气相沉积过程的多并行多尺度计算框架

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摘要

A multiscale computational framework for coupling the multiple length scales in chemical vapor deposition (CVD) processes is implemented for studying the effect of the prevailing conditions inside a CVD reactor (macro-scale) on the film growth on a wafer with predefined topography (micro-scale). A multi-parallel method is proposed for accelerating the computations. It combines domain decomposition methods for the macro-scale (reactor scale) model, which is based on partial differential equations (PDEs), and a synchronous master-worker scheme for the parallel computation of the boundary conditions (BCs) for the PDEs; BCs are coming from the micro-scale model describing film growth on the predefined topography. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:实现了一种用于在化学气相沉积(CVD)过程中耦合多个长度尺度的多尺度计算框架,用于研究CVD反应器内部的主要条件(宏观尺度)对具有预定形貌(微米级)的晶圆上薄膜生长的影响。规模)。提出了一种多并行方法来加速计算。它结合了基于偏微分方程(PDE)的宏模型(反应堆规模)模型的域分解方法,以及用于并行计算PDE边界条件(BC)的同步主工人方案; BC来自描述模型在预定义地形上生长的微型模型。 (C)2015 Elsevier B.V.保留所有权利。

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