机译:高单轴应变下p型硅经典纳米线的压阻效应
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41, prospect Nauki, 03028 Kyiv, Ukraine;
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41, prospect Nauki, 03028 Kyiv, Ukraine;
longitudinal piezoresistance; p-type silicon nanowire; high uniaxial strain; stress raiser;
机译:通过FIB植入和湿法蚀刻通过自上而下工艺制造的P型硅氧化硅纳米线的压阻效应
机译:核心壳碳化硅纳米线的应变工程,用于机械和压阻性特征
机译:光刻技术指导硅纳米线的水平生长,用于制造超灵敏压阻应变仪
机译:使用可测应变范围大的压阻硅纳米线表征多层MEMS压力传感器
机译:应变对硅价带的影响:p型硅的压阻和应变硅pMOSFET的迁移率提高。
机译:压阻行为对单个碳化硅纳米线电子发射的影响
机译:悬浮石墨烯膜在单轴拉伸下的压阻特性 纳米机电压力传感器中的双轴和双轴应变