National University of Singapore, SINGAPORE;
机译:大压缩应变范围内嵌入MEMS膜片结构的硅纳米线的表征
机译:压力范围对多晶硅压阻MEMS压力传感器电阻率(TCR)温度系数的影响
机译:基于压阻式硅纳米线的压力传感器的动循环测试及其超大压缩应变特性
机译:在大可测量应变范围内使用压阻硅纳米线的多层MEMS压力传感器的表征
机译:压阻硅MEMS应变传感器的静态和动态性能评估。
机译:基于临时键合技术的新型压阻MEMS压力传感器
机译:在大压缩应变范围内嵌入mEms膜结构中的硅纳米线的表征
机译:Kilobar Blast压力传感器 - 使用硅传感器技术的3.4 Kilobar压阻式爆破压力传感器。