机译:多层黑色磷和非易失性闪存单元中的隧道电流分析
Jadavpur Univ, Dept ETCE, NDS Lab, Kolkata 700032, India;
Indian Inst Engn Sci & Technol, Sch VLSI Technol, Sibpur 711103, Howrah, India;
Indian Inst Engn Sci & Technol, Sch VLSI Technol, Sibpur 711103, Howrah, India;
Indian Inst Engn Sci & Technol, Sch VLSI Technol, Sibpur 711103, Howrah, India;
Jadavpur Univ, Dept ETCE, NDS Lab, Kolkata 700032, India;
MoS2; Black phosphorous; DFT; GGA; LDA; WKB; Fowler-Nordheim tunneling;
机译:通过在闪存应用中采用Si_3N_4 / SiO_2 / Si_3N_4多层来改善隧道电介质的电流-电压特性
机译:新的非易失性存储器单元提供闪存的能量效率的十倍
机译:在纳米级观察到的经过处理的MOS非易失性存储器件的隧道SiO_2层中的陷获电荷和应力感应泄漏电流(SILC)
机译:一种新的基于闪存架构的非易失性存储单元,用于嵌入式低能耗应用:ATW(非对称隧道窗口)
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:高k电介质的非易失性存储器述评:闪存可产生超过32 nm的光
机译:低压闪存操作的基于高k的多层隧道势垒的分析和实现