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机译:使用过渡金属二硫化碳对薄TFET的仿真:材料参数,栅极电介质对静电器件性能的影响
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka 1205, Bangladesh;
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka 1205, Bangladesh;
2D materials; TFET; Subthreshold swing; Interband tunneling; TMDC;
机译:基于离子门控过渡金属二甲基晶体管漂移扩散模型的出版商校正AMIPOLAR器件模拟
机译:先进硅器件中过渡金属原子的电子结构与高k栅极电介质性能之间的相关性
机译:APS -APS 2017年3月会议-事件-二维过渡金属Dichalcogenides van der Waals异质结构器件中的门相关光致发光。
机译:在栅氧化物中采用多种介电材料的绝缘子MOSFET上双金属栅硅器件性能的研究
机译:用于金属氧化物半导体器件的栅极介电材料和介电/硅界面的研究
机译:静电门控在二维材料中半导体到半金属的结构相变
机译:发行商校正:基于离子门控过渡金属二甲基化物晶体管漂移扩散模型的Ambipolar器件仿真