机译:双材料双栅极无结场效应晶体管的伪二维表面电势模型
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Delhi">(1);
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Delhi">(1);
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Delhi">(1);
2-D modelling; Dual material double gate (DMDG); Junctionless field-effect transistor (JLFET); Poisson’s equation; Surface potential; Threshold voltage;
机译:双材料双栅极无结场效应晶体管的伪二维表面电势模型
机译:一种表面电位和阈值电压模型,包括用于双材料双栅极连接场效应晶体管(DMDG-JLFET)的量子机械效果
机译:基于潜在的阈值电压和用于无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅模型,具有双层栅极
机译:亚阈值区对称和非对称双栅极无结场效应晶体管的二维静电势的物理分析模型
机译:双材料栅极场效应晶体管(DMG-FET)。
机译:AFM纳米光刻制造的p型双栅极和单栅极无结累积晶体管的电性能比较和电荷传输
机译:三材料双栅无结场效应晶体管的二维表面势模型
机译:利用直接栅场效应晶体管测量航天器表面电位的探讨