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机译:熔化后硅的密度变化
Bell Telephone Laboratories, Inc., Murray Hill, New Jersey;
机译:硅作为相变材料:H-BN陶瓷在硅的多循环熔化/凝固过程中的性能
机译:用碳化硅晶间晶体晶间晶体晶体晶体化应用评价亚铀熔融应用的评价
机译:通过光学区熔化生长的硅带中的残余应力和位错密度
机译:低重量环境下密度变化对未固定矩形相变材料熔化的影响
机译:区域熔化再结晶绝缘体上硅制多晶硅发射极晶体管的研究
机译:直接激光熔化硅晶片上的硅外延生长
机译:改变能量密度强度产生完整过程参数窗口的影响,用于Scalmalloy的选择性激光熔化
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成