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【24h】

Defect structure of Zn‐doped PbTe

机译:Zn掺杂PbTe的缺陷结构

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摘要

PbTe single crystals are equilibrated with (Pb,Zn) alloys of various compositions at 700 and 800 °C and quenched to room temperature. Hall‐effect and solubility measurements of these crystals indicate that zinc acts as a donor in PbTe, being incorporated in interstitial sites as Zni compensated by electrons. A complete defect model for Zn‐doped PbTe is arrived at, which predicts the behavior of PbTe crystals in metal‐rich as well as Te‐rich atmospheres.
机译:在700和800°C的温度下,将PbTe单晶与各种组成的(Pb,Zn)合金平衡,然后淬火至室温。这些晶体的霍尔效应和溶解度测量表明,锌充当PbTe的供体,并通过电子补偿的Zni掺入间隙位置。得出了掺杂锌的PbTe的完整缺陷模型,该模型可以预测PbTe晶体在富金属和富Te气氛中的行为。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1976年第11期|P.5010-5015|共6页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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