...
首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Defect structure of Cd‐doped PbTe
【24h】

Defect structure of Cd‐doped PbTe

机译:Cd掺杂PbTe的缺陷结构

获取原文
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Hall‐effect and solubility measurements are carried out on Cd‐doped PbTe crystals equilibrated with (Pb,Cd) alloys of various compositions at T=700 and 800 °C and quenched to room temperature. In Pb‐saturated conditions, while most of the Cd is found to be incorporated as neutral Cd on Pb sites CdxPb, a fraction of the total amount of Cd is present as positively charged interstitial species Cdi compensated by electrons. A complete defect model which can predict the behavior of Cd‐doped PbTe in Cd‐rich atmospheres as well as in Te‐rich atmospheres is proposed.
机译:霍尔效应和溶解度测量是在T = 700和800 C下用各种组成的(Pb,Cd)合金平衡的Cd掺杂PbTe晶体进行的,然后淬火至室温。在Pb饱和的条件下,虽然发现大多数Cd以中性Cd的形式结合在Pb位置CdxPb上,但Cd总量的一小部分以带正电的间隙物质Cdi的形式被电子补偿。提出了一个可以预测富Cd气氛和富Te气氛中Cd掺杂PbTe行为的完整缺陷模型。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1976年第11期|P.4993-5002|共10页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号