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斯剑霄; 吴惠桢; 徐天宁; 夏明龙; 王擎雷; 陆叶青; 方维政; 戴宁;
浙江大学,物理系,杭州,310027;
中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083;
异质外延; 表面微结构; 位错运动;
机译:BaF2(111)上通过分子束外延生长的单晶PbTe薄膜的微结构特性
机译:分子束外延生长在BaF2(111)上的单晶PbTe薄膜的微结构特性
机译:杂晶和异源PBTE / CDTE / INSB结构的分子束外延生长和结构性质
机译:通过分子束外延在(411)上生长的假形调制促进的N-AlgaAs / InGaAs / GaAs量子孔中的电学特性通过分子束外延产生GaAs基材
机译:通过分子能级相互作用的分子束外延研究了解薄膜形成,以便将沉积工艺条件与2种材料(MgO和Cs3sb)的器件性能联系起来
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过扫描隧道显微镜研究的BBTE上PBTE的分子束外延的螺旋生长和穿线脱位
机译:mBE(分子束外延)-Grown Gaas / sub 1-X / sb / sub X / Inp的电学特性及其与薄膜微结构的相关性
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:分子束外延器件和分子束外延方法及分子束单元
机译:分子线源隐身器和分子束外延分子束外延装置依次包裹的液氮或液氦
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