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Stochastic treatment of electron multiplication without scattering in dielectrics

机译:电子繁殖的随机处理,在电介质中没有散射

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摘要

By treating the emission of optical phonons as a Markov process, a simple analytic method is developed for calculating the electronic ionization rate per unit length for dielectrics. The effects of scattering from acoustic and optical phonons are neglected. The treatment obtains universal functions in recursive form, the theory depending on only two dimensionless energy ratios. A comparison of the present work with other numerical approaches indicates that the effect of scattering becomes important only when the electric potential energy drop in a mean free path for optical‐phonon emission is less than about 25% of the ionization potential. A comparison with Monte Carlo results is also given for Teflon.
机译:通过将光子的发射视为马尔可夫过程,开发了一种简单的分析方法来计算电介质每单位长度的电子电离率。忽略了来自声子和光学声子的散射效应。该处理以递归形式获得通用函数,该理论仅取决于两个无量纲的能量比。本工作与其他数值方法的比较表明,仅当光子发射的平均自由程中的势能下降小于电离势的25%时,散射的影响才变得重要。还与特氟隆的蒙特卡洛结果进行了比较。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1981年第5期|P.3575-3578|共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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