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Generalized formula for curvature radius and layer stresses caused by thermal strain in semiconductor multilayer structures

机译:半导体多层结构中由热应变引起的曲率半径和层应力的通用公式

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摘要

The generalized formulas have been derived for the curvature radius and layer stresses caused by thermal strain in semiconductor multilayer structure with different elastic moduli and growth temperatures. Several special forms and applications are given.
机译:针对具有不同弹性模量和生长温度的半导体多层结构中由热应变引起的曲率半径和层应力,推导了通用公式。给出了几种特殊的形式和应用。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1983年第1期|P.83-85|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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