机译:UHV裂解(110)InP上Al的类受体电子陷阱和热可逆势垒高度
机译:热退火和未退火Au / p-inp / zn-au肖特基势垒二极管横向同质势垒高度的确定
机译:CuNiTi / p-InP热退火触点的横向不均匀势垒高度分析
机译:通过相关扫描隧道显微镜和铁磁共振研究在特高压裂解的lnAs(110)上生长的铁的强单轴各向异性
机译:通过相关扫描隧道显微镜和铁磁共振研究,在UHV切割的LNA(110)上生长的强大单轴各向异性
机译:UHV-STM研究钴沉积在干净的,氧气和硫覆盖的钼上的钴(110)。
机译:电子陷阱及其对TiO2(110)表面化学的影响
机译:电荷载流子对InP(110)表面空位形成势垒高度的影响
机译:来自劈裂和溅射退火的Inp(110)表面的LEED和俄歇数据的比较