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机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管基于表面势的分析漏电流模型
Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece|c|;
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管基于表面势的分析漏电流模型
机译:具有有效载流子密度的非晶InGaZnO薄膜晶体管的漏极电流和栅极电容的解析模型
机译:非退化导电状态下的a-InGaZnO薄膜晶体管基于表面电势的漏极电流紧凑模型
机译:考虑深陷和尾陷状态的非晶硅和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:非晶硅薄膜晶体管的器件和材料表征以及分析建模。
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管的精确分析物理模型,说明了陷阱电荷和自由电荷