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机译:在GaInNSb合金中掺入N和与GaSb晶格匹配
Department of Chemistry, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom;
III-V semiconductors; energy gap; gallium compounds; indium compounds; kinetic theory; molecular beam epitaxial growth; semiconductor epitaxial layers; semiconductor growth; 6855ag; 8115Hi;
机译:在GalnNSb合金中掺入N和与GaSb晶格匹配
机译:分子束外延生长与(100)GaSb匹配的InAsSb合金和InAsSb / GaSb超晶格晶格的生长
机译:INXGA1-XASYSB1-Y季度合金的中间和长红外排放性能,II型II型/ GASB超晶格分布
机译:砷掺入对GaAs / GaSb短周期超晶格中相分离的影响
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:晶格匹配GaSb的AlAsSb合金的湿热氧化
机译:Inas / Gasb超晶格中Inas纳米线晶格的自发生长