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Bi掺入相变光盘GaSb靶材的研究

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摘要

光盘存储技术正逐步占据数据记录的主导地位,其中的相变光盘吸引了越来越多的研究者.本文研究了Bi的掺入对相变光盘GaSb靶材性能的影响,通过XRD分析得到Bi原子主要代替靶材中的Sb原子,DSC分析表明随着Bi的含量的增加靶材的熔点下降.

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来源
《信息记录材料》 |2006年第6期|18-21|共4页
作者
袁学翔; 朱德贵;
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作者单位

西南交通大学,材料先进技术教育部重点实验室,成都,610031;

西南交通大学,材料先进技术教育部重点实验室,成都,610031;

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正文语种 chi
中图分类磁记录材料厂;
关键词
相变光盘; GaSbBi; 热等静压; Bi掺杂;

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