机译:GaSbBi(As)/ GaSb薄膜的表面形态和Bi掺入
Department of Materials Science and Engineering, The University of Michigan, 2300 Hayward St., HH Dow Bldg., Ann Arbor, MI 48109, USA;
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A1.Atomic force microscopy; A1.Surfaces; A1.X-ray diffraction; A3.Molecular beam epitaxy; B1.Bismuth compounds; B1.Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:GaSbBi合金中液滴形成和Bi掺入的动力学
机译:对ZnO和ZnO:Ga和ZnO:Al薄膜的影响对ZnO和ZnO:Al薄膜的影响(Vol152,PG 252,2018)
机译:对ZnO掺入BI掺入的电气和形态学性质的影响:GA和ZnO:Al薄膜通过共聚焦磁控溅射沉积
机译:GaSbBi和InSbBi中的铋结合和晶格收缩
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:调制表面形态和薄膜晶体管基于双噻吩并34-c吡咯-46-二酮的性能通过改变溶液中的预聚集来形成聚合物半导体
机译:衬底取向对金属有机气相外延生长Gasb生长速率,表面形貌和硅掺入的影响
机译:平板和邻近基板上生长的同质Gasb薄膜的表面形貌;杂志文章