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钾掺入铋-锑系即Bi85Sb15-xKx低温热电材料及其制备方法

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摘要

钾掺入铋‑锑系即Bi

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 35/18 授权公告日:20160810 终止日期:20171120 申请日:20131120

专利权的终止
2016-08-10

授权

授权
2016-08-10

授权

授权
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/18 申请日:20131120

实质审查的生效
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/18 申请日:20131120

实质审查的生效
2014-02-12

公开

公开
2014-02-12

公开

公开

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1. 钾掺入铋-锑系即Bi85Sb15-xKx低温热电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN103579486B . 2016.08.10
2. 铌掺杂铋-锑系低温热电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN102496676B . 2014.09.10
3. Electrolyte, useful for electrochemical separation of antimony telluride and/or bismuth-antimony-tellurium comprises potassium- or sodium pyrophosphate, and diethylenetriamine pentaacetic acid [P] . 德国专利： DE102006014505A1 . 2007-09-27

机译：可用于电化学分离碲化锑和/或铋-锑-碲的电解质，包括焦磷酸钾或焦磷酸钠，以及二亚乙基三胺五乙酸
4. METHOD FOR CREATING ANTI-DIFFUSION BARRIER ON SURFACE OF PLATES MADE OF THERMOELECTRIC MATERIALS BASED ON BISMUTH AND ANTIMONY CHALCOGENIDES [P] . RU2758989C1 . 2021-11-08

机译：基于铋和锑硫胺化物的热电材料制成的抗扩散屏障在板上产生抗扩散屏障
5. MANUFACTURING METHOD OF BISMUTH-ANTIMONY-TELLURIUM-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL HAVING MAXIMUM EFFICIENCY TEMPERATURE OF 200 DEGREES OR MORE [P] . 韩国专利： KR20200052648A . 2020-05-15

机译：最大效率温度为200以上的基于铋-锑-碲的热电材料的制造方法