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机译:电气SB-TE和相关相变材料的肖特基势垒高度的相位依赖性
Department of Engineering University of Cambridge Cambridge CB2 1PZ United Kingdom;
College of Engineering Swansea University Swansea SA1 8EN United Kingdom;
Department of Engineering University of Cambridge Cambridge CB2 1PZ United Kingdom;
机译:掺杂Ge-Sb-Te相变材料用于可逆相变光学记录
机译:基于GE-SB-TE相变材料的元敷料进展
机译:Ge-Sb-Te和In-Sb-Te相变材料之间的化学联系
机译:Ge-Sb-Te相变记忆材料的表征
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:双掺杂Ge-Sb-Te相变材料中结晶速度和n型电导率提高的原子起源