机译:在Ⅲ-N型发光二极管上进行原子探针层析成像分析的成分精度
Normandie Univ Grp Phys Mat CNRS UNIROUEN INSA Rouen F-76000 Rouen France|Minatec CEA LETI F-38054 Grenoble France;
CEMES CNRS 29 Rue Jeanne Marvig Toulouse France;
CEMES CNRS 29 Rue Jeanne Marvig Toulouse France|IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Heverlee Belgium;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia|RAS Submicron Heterostruct Microelect Res & Engn Ctr St Petersburg 194021 Russia;
Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93106 USA;
Normandie Univ Grp Phys Mat CNRS UNIROUEN INSA Rouen F-76000 Rouen France;
机译:使用原子探针层析成像技术对2021和2021半极性GaN发光二极管进行比较分析
机译:使用原子探针层析成像技术对2021和2021半极性GaN发光二极管进行比较分析
机译:GaN中原子探测断层扫描测量的组成精度:实验参数的影响和多种蒸发事件
机译:商业发光二极管的原子探测断层扫描
机译:用于发光二极管的氮化铟镓/氮化镓和氮化铝镓/氮化镓结构的微观结构和成分研究。
机译:设计构造和利用发光二极管和发光二极管耦合光纤阵列进行多站点脑光传输的过程
机译:错误:“原子探测断层扫描的MBE成长BGAG的”纳米级成分研究“J。苹果。物理。 121,225701(2017)