机译:用单能正电子束探测GaN自组装纳米线中的空位型缺陷
Univ Tsukuba, Div Appl Phys, Fac Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Grenoble Alpes, INAC PHELIQS Nanophys & Semicond Grp, CEA, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, Inst Neel, Grenoble INP, CNRS, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, INAC PHELIQS Nanophys & Semicond Grp, CEA, F-38000 Grenoble, France;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Res Ctr Computat Design Adv Funct Mat CD FMat, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
机译:使用单烯酸正电子束探测GaN自组装纳米线中的空置型缺陷
机译:通过单元质正电子束探测的SiO_2 / GaN结构中的空隙和空位型缺陷
机译:单能正电子束探测Al_2O_3 / GaN结构中的空位缺陷
机译:单能正电子束探测掺Mg的GaN中的空位型缺陷
机译:使用室温共振拉曼散射探测碲化镉自组装量子点和硫化镉纳米线中的电子和振动态。
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:用单能正电子束探测氨基分子束外延生长的Mg掺杂GaN中的空位型缺陷